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ＳｉＣパワー半導体　好調続く

世界５兆円規模に ３５年市場予測／ＥＶ・ＤＣ向け拡大継続

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　炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体は、シリコン（Ｓｉ）と比べて絶縁破壊電界強度が１０倍、バンドギャップが３倍で、放熱特性に優れる。電力損失の大幅な低減、機器の小型化、高電圧・高温環境下での安定駆動といった特徴を持ち、電力変換時の損失を低減できる。そのため電気自動車（ＥＶ）などの電動車（ｘＥＶ）の普及、電子測定器への搭載による小型大容量の実現などで市場が広がり、需要が高まっている。

　富士経済のパワー半導体世界市場によるＳｉＣパワー半導体需要は、インバーターやパワーコンディショナーなど電力変換の高効率化を目的に採用が加速。２０２３年は２２９３億円を見込み、３５年は５兆３３００億円になると予測する。

　２３年はデータセンター（ＤＣ）のサーバー用電源などの分野に加え、充電スタンドやｘＥＶの（駆動用モーターを制御する）トラクションインバーターをはじめとする自動車・電装分野、太陽光発電などのエネルギー分野の需要が前年に継続して伸長する。設備投資による生産能力の増強やウエハーの大口径化対応、加工技術の向上などにより、ｘＥＶのトラクションインバーターにＳｉＣパワー半導体の採用が本格化するなど市場拡大が加速するとみている。

　こうした中、ロームは独ヴィテスコ・テクノロジーズに対し、ＳｉＣパワー半導体の長期供給におけるパートナーシップ契約を６月１９日に締結。これによりヴィテスコは２４年からローム製のＳｉＣパワー半導体を使ったインバーターを、ＥＶ向けに量産する。ロームが供給するパワー半導体は「１２００ボルト　第４世代　ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ（炭化ケイ素　金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）」。今後開発される新製品についても提案を予定している。

　この第４世代ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現したデバイスであり、車載インバーター搭載時には、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）比で電費を１０％改善できる（国際規格「ＷＬＴＣ燃費試験」算出時）。さらにスイッチング損失を従来品と比べて約５０％削減を実現した。

　ロームはＳｉＣパワー半導体の性能や、垂直統合モデル（ＩＤＭ）としての供給力などの総合力を背景に、高い競争力を持つ。デバイスの優位性では第４世代から第５、６世代の開発を進めるほか、ウエハーの８インチ化にも取り組んでいく。

　ヴィテスコは独コンチネンタルのパワートレイン（駆動装置）部門から１９年に独立。インバーターやＥＶ用駆動装置「イーアクスル」などを手がけている。